Autoři
Druh výsledku
funkční vzorek
Popis
Jedná se o planární kapacitor s heterogenní strukturou dielektrika o nominální tloušťce 10 nm. Dielektrikum je tvořeno střídavým vrstvením Al2O3 a HfO2 o tloušťkách ~1 nm, nanesených pomocí depozice atomárních vrstev (ALD). Kapacitory jsou umístěny na křemíkovém substrátu-čipu tvořícím spodní elektrodu. Horní elektroda je tvořena 250 nm napařeného zlata. Tato elektroda je vytvořena metodou Lift-Off. Kapacitory s proměnnou plochou jsou sdruženy na čipu v podobě testovacího pole.
